分ぶん子し線せんエピタキシー

noun

molecular beam epitaxy; MBE

Technical term in semiconductor physics and materials science for a thin-film crystal growth technique.

• 分ぶん子し線せんエピタキシーは、高こう品ひん質しつな半はん導どう体たい薄はく膜まくの作さく製せいに用もちいられる。

  Molecular beam epitaxy is used to fabricate high-quality semiconductor thin films.