noun
vapor phase epitaxy; VPE
Technical term in semiconductor manufacturing; refers to a crystal growth method where a vapor deposits a crystalline layer onto a substrate. Often abbreviated as VPE.
See also: 気相エピタキシャル成長
気相エピタキシーは化合物半導体の製造に広く使われている。
Vapor phase epitaxy is widely used in the production of compound semiconductors.
この装置は気相エピタキシーによって薄膜を形成する。
This equipment forms thin films by vapor phase epitaxy.